Отрывок: Целью настоящей работы является создание модели износа катода источника низкотемпературной плазмы на основе высоковольтного газового разряда. Задачи, решаемые в работе: описание процесса распыления катода ИНТП положительными ионами; нанесения распыляемых атомов на поверхность изолирующих узлов; построение эквивалентных схем систем ИНТП, ИНТП-П-ОО. Объект исс...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кутурин В. А. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Кричевский С. В. | ru |
dc.coverage.spatial | импедансная спектроскопия | ru |
dc.coverage.spatial | износ катода | ru |
dc.coverage.spatial | источник низкотемпературной плазмы | ru |
dc.coverage.spatial | моделирование | ru |
dc.creator | Кутурин В. А., Колпаков В. А., Кричевский С. В. | ru |
dc.date.accessioned | 2022-05-13 12:59:04 | - |
dc.date.available | 2022-05-13 12:59:04 | - |
dc.date.issued | 2022 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\481346 | ru |
dc.identifier.citation | Кутурин, В. А. Анализ метода импедансной спектроскопии плазмы / В. А. Кутурин, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - Самара : Артель, 2022. - С. 99-101. | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Analiz-metoda-impedansnoi-spektroskopii-plazmy-97434 | - |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.source | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. - Текст : электронный | ru |
dc.title | Анализ метода импедансной спектроскопии плазмы | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 101 | ru |
dc.citation.spage | 99 | ru |
dc.textpart | Целью настоящей работы является создание модели износа катода источника низкотемпературной плазмы на основе высоковольтного газового разряда. Задачи, решаемые в работе: описание процесса распыления катода ИНТП положительными ионами; нанесения распыляемых атомов на поверхность изолирующих узлов; построение эквивалентных схем систем ИНТП, ИНТП-П-ОО. Объект исс... | - |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
978-5-903-943-17-3_2022-99-101.pdf | 179.6 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.