Отрывок: Выходное вы сокочастотное напряж ение и вых1 сним ается с колебательного контура, а детектированное напряж ение и выХ2 - с эм иттера транзистора (при включении в цепь эм иттера R C -фильтра). В ы сокая частотная избирательность определяется тем, что для частот напряж ения U~, проходящ их полосу пропускания Af=fB f H параллельного колебательного контура, потери в нем ком...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Дмитриев В. Д. | ru |
dc.contributor.author | Пищулина Н. П. | ru |
dc.contributor.author | Советкина М. А. | ru |
dc.coverage.spatial | высокочастотное ключевое устройство | ru |
dc.coverage.spatial | гистерезисные зоны | ru |
dc.coverage.spatial | биполярные транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | параллельный колебательный LC-контур | ru |
dc.coverage.spatial | частотнозависимые динамические параметры | ru |
dc.creator | Дмитриев В. Д., Пищулина Н. П., Советкина М. А. | ru |
dc.date.accessioned | 2019-12-16 15:48:19 | - |
dc.date.available | 2019-12-16 15:48:19 | - |
dc.date.issued | 2011 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\431559 | ru |
dc.identifier.citation | Дмитриев, В. Д. Экспериментальное исследование амплитудно-частотного ключевого элемента с двумя гистерезисными зонами / В. Д. Дмитриев, Н. П. Пищулина, М. А. Советкина // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 10-12 мая 2011 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [под ред. М. Н. Пиганова]. - 2011. - С. 48-50 | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Eksperimentalnoe-issledovanie-amplitudnochastotnogo-kluchevogo-elementa-s-dvumya-gisterezisnymi-zonami-80912 | - |
dc.source | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 10-12 мая 2011 г. | ru |
dc.title | Экспериментальное исследование амплитудно-частотного ключевого элемента с двумя гистерезисными зонами | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 50 | ru |
dc.citation.spage | 48 | ru |
dc.textpart | Выходное вы сокочастотное напряж ение и вых1 сним ается с колебательного контура, а детектированное напряж ение и выХ2 - с эм иттера транзистора (при включении в цепь эм иттера R C -фильтра). В ы сокая частотная избирательность определяется тем, что для частот напряж ения U~, проходящ их полосу пропускания Af=fB f H параллельного колебательного контура, потери в нем ком... | - |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Актуальные проблемы 2011-48-50.pdf | 85.5 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.