Отрывок: Очистка поверхности подложек в данных режимах позволяет достигать технологической чистоты поверхности, что хорошо подтверждает сравнение зависимостей адгезии медных пленок к поверхно сти кварцевых подложек от времени их загрязнения без финишной очистки, после отжига структуры медная пленка загрязнение кварцевая подложка в высоковольтном разряде (/ =100 мА; и =2 кВ; / =5 мин) и после финишной ...
Название : | Исследование механизмов формирования технологически чистой поверхности |
Авторы/Редакторы : | Казанский Н. Л. Колпаков В. А. Колпаков А. И. Кричевский С. В. |
Дата публикации : | 2007 |
Библиографическое описание : | Исследование механизмов формирования технологически чистой поверхности / Н. Л. Казанский, В. А. Колпаков, А. И. Колпаков, С. В. Кричевский // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 14 - 16 мая 2007 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - Самара : СГАУ, 2007. - С. 46-48. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\534072 |
Ключевые слова: | технологическая чистота поверхности подложек УВН-2М-1 диэлектрические подложки |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-46-48.pdf | 73.59 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.