Отрывок:
Название : | Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния |
Авторы/Редакторы : | Елесин Н. Д. |
Дата публикации : | 2018 |
Библиографическое описание : | Елесин, Н. Д. Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния / Н. Д. Елесин // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всероc. науч.-техн. конф. (г. Самара, 15-17 мая 2018 г.) / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - 2018. - С. 138-139. - ISBN = 978-5-473-01191-3 |
ISBN : | 978-5-473-01191-3 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20180608\70157 |
Ключевые слова: | тонкопленочный транзистор пороговая неусточивость пороговое напряжение оптический транзистор нанокристаллический кремний напряжение концентрация легирования |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
138-139.pdf | Модель для пороговой неустойчивости напряжения в тонкопленочном транзисторе на основе нанокристаллического кремния | 277.98 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.