Отрывок: Большая ширина запрещённой зоны означает, что работоспособность транзисторов из нитрида галлия сохраняется при более высоких температурах и напряжениях; а так же нитрид галлиевые транзисторы имеют более высокое быстродействие по сравнению с транзисторами на основе кремния [1]. В программном пакете для моделирования физических процессов COMSOL Multiphysics 6.0 с использованием модуля ...
Название : | Моделирование ключевого режима работы полевого транзистора на основе нитрида галлия |
Авторы/Редакторы : | Козлова И. Н. Амельчук А. А. |
Дата публикации : | 2023 |
Библиографическое описание : | Козлова, И. Н. Моделирование ключевого режима работы полевого транзистора на основе нитрида галлия / И. Н. Козлова, А. А. Амельчук // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. (г.Самара, 25-28 апр. 2023 г.) / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под. ред. А. И. Данилина. - Самара : Артель, 2023. - С. 217-218. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\535481 |
Ключевые слова: | ключевые режимы работы моделирование ключевого режима нитрид галлия полевые транзисторы |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
978-5-903943-19-7_2023-217-218.pdf | 178.83 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.