Отрывок: Также проблемой низкой эффективности ФЭП является сложность формирования контактов на наноструктурированной поверхности кремния. Омический контакт — контакт между двумя полупроводниками или полупроводником и металлом, отличительной чертой которого является симметричная и линейная вольт-амперная характеристика. Главными шагами в создании контакта являются очистка поверхности, осаждение контактной металлизации...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Полуэктова Н. А. | ru |
dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | ru |
dc.coverage.spatial | фоточувствительные структуры | ru |
dc.coverage.spatial | методы изготовления | ru |
dc.coverage.spatial | нанокристаллический кремний | ru |
dc.coverage.spatial | омические контакты | ru |
dc.creator | Полуэктова Н. А., Шишкина Д. А. | ru |
dc.date.accessioned | 2022-05-13 12:59:24 | - |
dc.date.available | 2022-05-13 12:59:24 | - |
dc.date.issued | 2022 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\481482 | ru |
dc.identifier.citation | Полуэктова, Н. А. Подбор оптимальных контактов для фоточувствительных структур на основе кремния / Н. А. Полуэктова, Д. А. Шишкина // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. А. И. Данилина. - Самара : Артель, 2022. - С. 150-151. | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Podbor-optimalnyh-kontaktov-dlya-fotochuvstvitelnyh-struktur-na-osnove-kremniya-97459 | - |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.source | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 19-22 апр. 2022 г. - Текст : электронный | ru |
dc.title | Подбор оптимальных контактов для фоточувствительных структур на основе кремния | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 151 | ru |
dc.citation.spage | 150 | ru |
dc.textpart | Также проблемой низкой эффективности ФЭП является сложность формирования контактов на наноструктурированной поверхности кремния. Омический контакт — контакт между двумя полупроводниками или полупроводником и металлом, отличительной чертой которого является симметричная и линейная вольт-амперная характеристика. Главными шагами в создании контакта являются очистка поверхности, осаждение контактной металлизации... | - |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
978-5-903-943-17-3_2022-150-151.pdf | 197.51 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.