Отрывок: Вариация коэффициента передачи ПН на стадии хранения в, пер- ую очередь обусловлена тепловым дрейфом транзистора ПН вследст- ие скачка рассеиваемой мощности после заряда Сн [ 5 ] . Величина ■качка составляет л Р-и„ (1фà ڄ,)-(*&%„,,тжеЗс„,,Э е„ г « к » иещения транзистора ПН, соответственно, до и после заряда С„ , 1 ц0 - начальное напряжение u Klf (или и^с ) транзистора. Время феходного теплового процесса в этом случае составляет десятке и отн...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЛогвинов А. В.ru
dc.coverage.spatialаналоговые запоминающие устройства (АЗУ)ru
dc.coverage.spatialабсорбцияru
dc.coverage.spatialдиэлектрика конденсатораru
dc.coverage.spatialемкостные АЗУru
dc.coverage.spatialисточники погрешностейru
dc.coverage.spatialМОП-транзисторыru
dc.coverage.spatialутечкиru
dc.coverage.spatialтранзисторыru
dc.coverage.spatialпереходные тепловые процессыru
dc.coverage.spatialпогрешность храненияru
dc.coverage.spatialполупроводниковые приборыru
dc.creatorЛогвинов А. В.ru
dc.date.accessioned2022-01-24 10:04:39-
dc.date.available2022-01-24 10:04:39-
dc.date.issued1979ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\474300ru
dc.identifier.citationЛогвинов, А. В. Погрешности хранения аналоговых запоминающих устройств. - Текст : электронный / А. В. Логвинов // Автоматизация экспериментальных исследований : межвуз. сб. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; под ред. В. А. Виттиха. - 1979. - Вып. 10. - С. 149-153ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Avtomatizaciya-eksperimentalnyh-issledovanii/Pogreshnosti-hraneniya-analogovyh-zapominaushih-ustroistv-95399-
dc.description.abstractРассмотрены основные факторы, влияющие на точность хранения напряжения на накопительном конденсаторе аналогового запоминающего устройства. Сюда входят: утечки полупроводниковых приборов, эффект абсорбции в диэлектрике конденсатора и в диэлектрике платы, переходные тепловые процессы в транзисторе повторителя напряжения. Приведены кривые, характеризующие величину 4, поведение этих погрешностей в диапазоне времени хранения 10 мкс. - 100 мс.ru
dc.relation.ispartofАвтоматизация экспериментальных исследований : межвуз. сб. - Текст : электронныйru
dc.sourceАвтоматизация экспериментальных исследований. - Вып. 10ru
dc.titleПогрешности хранения аналоговых запоминающих устройствru
dc.typeTextru
dc.citation.epage153ru
dc.citation.spage149ru
dc.textpartВариация коэффициента передачи ПН на стадии хранения в, пер- ую очередь обусловлена тепловым дрейфом транзистора ПН вследст- ие скачка рассеиваемой мощности после заряда Сн [ 5 ] . Величина ■качка составляет л Р-и„ (1фà ڄ,)-(*&%„,,тжеЗс„,,Э е„ г « к » иещения транзистора ПН, соответственно, до и после заряда С„ , 1 ц0 - начальное напряжение u Klf (или и^с ) транзистора. Время феходного теплового процесса в этом случае составляет десятке и отн...-
Располагается в коллекциях: Автоматизация экспериментальных исследований

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-149-153.pdf173.34 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.