Отрывок: Эти упругие напряж ения оказы ваю т разруш аю щ ее воздействие на растущ ую пленку с ростом ее толщ ины , вследствие чего нару ш ается ее м онокристалличность. Разны м и технологическим и способам и можно сконцентрировать упругие напряж ения в тонком переходном слое меж ду под лож кой и пленкой (см. п. 2 .1). П реобразование поверхности...
Название : | Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобраз |
Авторы/Редакторы : | Атажанов Ш. Р. Самарский государственный университет |
Ключевые слова : | Физика |
Дата публикации : | 1997 |
Библиографическое описание : | Атажанов, Ш. Р. Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3С-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе [Электронный ресурс] : дис. ... канд. физ-мат. наук : 01.04.10 / Атажанов Шавкат Ражабович ; Самар. гос. ун-т. - Самара, 1997. - on-line |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\348160 |
Ключевые слова: | выращивание тонких пленок газотранспортный метод гетероэпитаксиальное выращивание диссертации диэлектрики Физика пленки термопреобразователи твердофазные источники труды ученых СамГУ |
Располагается в коллекциях: | Диссертации (Закрыто) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Атажанов Ш.Р. Исследование.pdf | 3.8 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.