Отрывок: Для прекращения перемещения в схему коммутации двигателей поступает сигнал с реле. В свою очередь для срабатывания реле необходимо усиление сигнала схемы совпадения. Подгонка производилась при мощности разряда 30...100Вт. При этом скорость перемещения рабочего электрода относительно резистора составляла 5...20мм/мин, а контактирование рабочего электрода с подгоняемым резистором осуществлялось с частотой 20...100Гц. Для выбора па...
Название : | Моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов методом факельного разряда |
Другие названия : | Process modeling of adjustment of thick film resistors by method of flare discharge |
Авторы/Редакторы : | Пиганов, М.Н. Новомейский, Д.Н. Piganov, M.N. Novomeyskiy, D.N. |
Ключевые слова : | modeling mathematical model thick-film resistor adjustment flare discharge adjusting device |
Дата публикации : | 2018 |
Издательство : | Новая техника |
Библиографическое описание : | Пиганов М.Н. Моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов методом факельного разряда/М.Н. Пиганов, Д.Н. Новомейский// Сборник трудов IV международной конференции и молодежной школы «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2018) - Самара: Новая техника, 2018. - С. 1698-1705 |
Серия/номер : | 3;227 |
Аннотация : | Приведена процедура математического моделирование процесса подгонки толстоплёночных резисторов гибридных интегральных микросхем методом факельного разряда. Описано устройство, обеспечивающее подгонку резисторов с заданной точностью. Получено математическое выражение, которое связывает все физические и геометрические параметры системы «разряд-резистор-подложка» и технологический параметр. Разработаны рекомендации по повышению стабильности резисторов после подгонки.//The procedure is provided mathematical process modeling of adjustment of thick film resistors of hybrid integrated microcircuits is provided by method of torch discharge. The device providing adjustment of resistors with the given accuracy is described. A mathematical expression is obtained that relates all the physical and geometrical parameters of the system "discharge-resistor-substrate" and the technological parameter. Recommendations about stability augmentation of resistors after adjustment are developed. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Modelirovanie-processa-podgonki-tolstoplenochnyh-rezistorov-metodom-fakelnogo-razryada-69306 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20180515\69306 |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
paper_227.pdf | Основная статья. | 274.72 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.