Отрывок: Кроме того, тепловые экраны обеспечивают градиент температур между зонами. При температуре 1360-1380°С во второй зоне протекает обратная реакция на поверхности подложек кремния: разложение углеводородов с образованием соединения карбида кремния на поверхности подложек кремния по всей высоте сборки подложкодержателей. Потоки газа и воды охлаждения по высоте HTCVD-реактора предпочтительно имеют про...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Лебедев Д. М. | ru |
dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Шишкин И. А. | ru |
dc.contributor.author | Нефедова С. А. | ru |
dc.contributor.author | Чепурнов В. И. | ru |
dc.contributor.author | Танеев В. В. | ru |
dc.coverage.spatial | HTCVD | ru |
dc.coverage.spatial | морфология | ru |
dc.coverage.spatial | карбид кремния SiC | ru |
dc.coverage.spatial | рентгенограммы вращения | ru |
dc.coverage.spatial | рост пленок | ru |
dc.creator | Лебедев Д. М., Шишкина Д. А., Шишкин И. А., Нефедова С. А., Чепурнов В. И., Танеев В. В. | ru |
dc.date.accessioned | 2023-10-02 09:46:36 | - |
dc.date.available | 2023-10-02 09:46:36 | - |
dc.date.issued | 2023 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\541448 | ru |
dc.identifier.citation | Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD / Д. М. Лебедев, Д. А. Шишкина, И. А. Шишкин [и др.] // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2023. - С. 012402. | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Osobennosti-rosta-plenok-3SSiCSi-izgotovlennye-metodom-HTCVD-105599 | - |
dc.description.abstract | Данная работа посвящена исследованиям морфологии и структуры пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD. Представлены снимки поверхности структур, демонстрирующие особенности роста пленок карбида кремния на разных уровнях подложкодержателя. Анализ рентгенограмм вращения показал наличие пленок карбида кремния 3-C политипа. | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.ispartof | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 | ru |
dc.source | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника | ru |
dc.title | Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.spage | 012402 | ru |
dc.citation.volume | 1 | ru |
dc.textpart | Кроме того, тепловые экраны обеспечивают градиент температур между зонами. При температуре 1360-1380°С во второй зоне протекает обратная реакция на поверхности подложек кремния: разложение углеводородов с образованием соединения карбида кремния на поверхности подложек кремния по всей высоте сборки подложкодержателей. Потоки газа и воды охлаждения по высоте HTCVD-реактора предпочтительно имеют про... | - |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
978-5-7883-1917-9_2023-012402.pdf | 477.2 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.