Отрывок: Рассчитывалось распределение интенсивности во всей области для набора длин волн в диапазоне от 300 нм до 900 нм с шагом 5 нм. Затем для каждого распределения рассчитывался интеграл по площади рабочего кремниевого слоя. Данное значение и бралось за поглощение. На рисунке 4 представлены полученные спектры поглощения для элемента, покрытого стеклянной плоскопараллельной пластинкой, а также для э...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Подлипнов, В.В. | - |
dc.contributor.author | Порфирьев, А.П. | - |
dc.contributor.author | Дегтярев, С.А. | - |
dc.contributor.author | Хонина, С.Н. | - |
dc.date.accessioned | 2016-12-08 10:24:35 | - |
dc.date.available | 2016-12-08 10:24:35 | - |
dc.date.issued | 2016 | - |
dc.identifier | Dspace\SGAU\20161208\60615 | ru |
dc.identifier.citation | Материалы Международной конференции и молодёжной школы «Информационные технологии и нанотехнологии», с. 44-49 | ru |
dc.identifier.isbn | 978-5-7883-1078-7 | - |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Primenenie-difrakcionnyh-aksikonov-dlya-uvelicheniya-effektivnosti-solnechnyh-elementov-60615 | - |
dc.description.abstract | В работе предложено использовать комбинацию солнечного элемента с дифракционными аксиконами для повышения оптической эффективности элемента. Проведено численное моделирование процесса поглощения света в солнечном элементе. Представлены результаты эксперимента с использованием лазера с перестраиваемой длиной волны по измерению эффективности преобразования световой энергии в электрический ток. | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | Издательство СГАУ | ru |
dc.subject | солнечные элементы | ru |
dc.subject | дифракционные решётки | ru |
dc.subject | аксикон | ru |
dc.subject | улавливание солнечного света | ru |
dc.title | Применение дифракционных аксиконов для увеличения эффективности солнечных элементов | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.textpart | Рассчитывалось распределение интенсивности во всей области для набора длин волн в диапазоне от 300 нм до 900 нм с шагом 5 нм. Затем для каждого распределения рассчитывался интеграл по площади рабочего кремниевого слоя. Данное значение и бралось за поглощение. На рисунке 4 представлены полученные спектры поглощения для элемента, покрытого стеклянной плоскопараллельной пластинкой, а также для э... | - |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
44-49.pdf | Основная статья | 492.09 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.