Отрывок: Zh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva et al. V Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2019) 423 significantly. This fact is evident from Figure 3 illustrating dependence of the fractal dimension on porosity of the films. Figure 3. Dependence of fractal dimension of SiNW films on their porosity. ̶ "white" silicon (top view); ̶ "white" silicon (lateral view); ̶ ...
Название : | Quantitative analysis of morphology of porous silicon nanostructures formed by metal-assisted chemical etching |
Авторы/Редакторы : | Zhanabaev, Z.Zh. Grevtseva, T.Yu. Gonchar, K.A. Mussabek, G.K. Yermukhamed, D. Serikbayev, A.A. Assilbayeva, R.B. Turmukhambetov, A.Zh. Timoshenko, V.Yu. |
Дата публикации : | 2019 |
Издательство : | Изд-во «Новая техника» |
Библиографическое описание : | Zhanabaev Z.Zh. Quantitative analysis of morphology of porous silicon nanostructures formed by metal-assisted chemical etching / Z.Zh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva, K.A. Gonchar, G.K. Mussabek, D. Yermukhamed, A.A. Serikbayev, R.B. Assilbayeva, A.Zh. Turmukhambetov, V.Yu. Timoshenko // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 2: Обработка изображений и дистанционное зондирование Земли. – 2019. – С. 420-425. |
Аннотация : | Morphology features of porous layers consisting of silicon nanowire arrays, which were grown by metal-assisted chemical etching, have been analyzed by means of digital processing of their scanning electron microscopy (SEM) images. Informational-entropic and Fourier analysis have been applied to quantitatively describe the degree of order and chaos in nanostructure distribution in the layers. Self-similarity of the layer morphology has been quantitatively described via its fractal dimensions. The applied approach allows us to distinguish morphological features of as-called "black" (more ordered) and "white" (less ordered) silicon layers characterized by minimal and maximal optical reflection, respectively. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Quantitative-analysis-of-morphology-of-porous-silicon-nanostructures-formed-by-metalassisted-chemical-etching-76400 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20190507\76400 |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
paper58.pdf | 439.02 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.