Отрывок: Проведены исследования по облучению ТПР в различных газах (аргон, воздух, кислород). Разработана технология ионно-электронно го отжига ТПР, позволяющая значительно уменьшить время процесса 108 109 отжига ТПР, осуществлять корректировку сопротивления до ±25$, уменьшить ТКС до 0,5.ГО-5 1/°С, уменьшить разброс значений сопро тивлений, изготавливаемых на одной подложке. РАЗРАБОТКА ПРОГРАММ РАСЧЕТА КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ МИКРОСХЕМ НА ПРОГРАММ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Гусенков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Кричевский С. В. | ru |
dc.coverage.spatial | электрические параметры тонкопленочных резисторов | ru |
dc.coverage.spatial | ионно-электронный отжиг | ru |
dc.coverage.spatial | ионно-электронные потоки | ru |
dc.coverage.spatial | тонкопленочные резисторы | ru |
dc.creator | Гусенков В. А. | ru |
dc.date.issued | 1995 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\533917 | ru |
dc.identifier.citation | Гусенков, В. А. Исследование влияния ионно-электронного отжига на электрические параметры тонкопленочных резисторов / В. А. Гусенков ; науч. руководитель С. В. Кричевский // Королевские чтения : всерос. студ. науч. конф. : тез. докл., [Самара, 4-5 окт. 1995г.] / Гос. ком. Рос. Федерации по высш. образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; ред. В. Г. Шахов. - Самара : [СГАУ], 1995. - С. 108-109. | ru |
dc.source | Королевские чтения : всерос. студ. науч. конф : тез. докл., [Самара, 4-5 окт. 1995г.]. - Текст : электронный | ru |
dc.title | Исследование влияния ионно-электронного отжига на электрические параметры тонкопленочных резисторов | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 109 | ru |
dc.citation.spage | 108 | ru |
dc.textpart | Проведены исследования по облучению ТПР в различных газах (аргон, воздух, кислород). Разработана технология ионно-электронно го отжига ТПР, позволяющая значительно уменьшить время процесса 108 109 отжига ТПР, осуществлять корректировку сопротивления до ±25$, уменьшить ТКС до 0,5.ГО-5 1/°С, уменьшить разброс значений сопро тивлений, изготавливаемых на одной подложке. РАЗРАБОТКА ПРОГРАММ РАСЧЕТА КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ МИКРОСХЕМ НА ПРОГРАММ... | - |
Располагается в коллекциях: | Королевские чтения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-108-109.pdf | 70.96 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.