Отрывок: Одним из главных отличий от реальных схем является источник управляющего напряжения. На практике, конечно, нулевое внутреннее сопротивление невозможно. Установите внутреннее сопротивление источника V2, равное 50 Ом (ти- повой импеданс источников сигналов). Это можно сделать двумя способами: изменить внутреннее сопротивление в окне параметров источника напряже- ния или добавить в цепь дополнительный резистор. Выберем второй способ (рис. 8), так как в первом случае...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кудрявцев И. А. | ru |
dc.contributor.author | Корнилин Д. В. | ru |
dc.contributor.author | Мякинин О. О. | ru |
dc.contributor.author | Матвеева И. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | методические указания | ru |
dc.coverage.spatial | полевые транзисторы с изолированным затвором | ru |
dc.coverage.spatial | полевые транзисторы с индуцированным каналом | ru |
dc.coverage.spatial | электронные компоненты ПТ | ru |
dc.coverage.spatial | электронные ключи на полевых транзисторах (ПТ) | ru |
dc.date.issued | 2020 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\452166 | ru |
dc.identifier.citation | Электронные ключи на транзисторах MOSFET : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост.: И. А. Кудрявцев, Д. В. Корнилин, О. О. Мякинин, И. А. Матвеева. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2020. - 1 файл (1,23 Мб) | ru |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | В методических указаниях исследуются особенности электронных ключей на базе полевых транзисторов с изолированным затвором и индуцированным каналом. Рассматриваются вопросы выбора электронных компонентов, оценки быстродействия и энергопотребления. Приведен | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,23 МБ) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | Изд-во Самар. ун-та | ru |
dc.title | Электронные ключи на транзисторах MOSFET | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.59 | ru |
dc.subject.udc | 621.374(075) | ru |
dc.subject.udc | 621.382.3(075) | ru |
dc.textpart | Одним из главных отличий от реальных схем является источник управляющего напряжения. На практике, конечно, нулевое внутреннее сопротивление невозможно. Установите внутреннее сопротивление источника V2, равное 50 Ом (ти- повой импеданс источников сигналов). Это можно сделать двумя способами: изменить внутреннее сопротивление в окне параметров источника напряже- ния или добавить в цепь дополнительный резистор. Выберем второй способ (рис. 8), так как в первом случае... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Кудрявцев И.А. Электронные ключи на транзисторах 2020.pdf | 1.27 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.