Отрывок: 2,в). Остается открытым вопрос — каким образом осуществля ется начальный переброс электронов из валентной зоны в зо ну проводимости? Ведь для подобного переброса необходима значительная затрата энергии, равная ширине запрещенной зоны ЛИ/. Электрическое поле не в состоянии этого обеспе чить. Действительно, если учесть, что длина свободного про бега носителя в кристалле не превышает 10° см, то даже электрическое поле напряженностью 105 В/см ...
Название : | Исследование электропроводности полупроводников |
Авторы/Редакторы : | Саноян А. Г. Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева |
Дата публикации : | 1977 |
Библиографическое описание : | Исследование электропроводности полупроводников : лаб. работа № 5 / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П.Королева ; [сост. А. Г. Саноян]. - Куйбышев, 1977. - 1 файл (972,25 Кб). - Текст : электронный |
Аннотация : | Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-elektroprovodnosti-poluprovodnikov-97716 |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\478754 |
Ключевые слова: | полупроводники учебные издания электропроводность полупроводников |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Саноян А.Г. Исследование электропроводности. Лабораторная раб. № 5. 1977.pdf | 972.25 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.