Отрывок: р и с .2 ,а) к затвору относительно канала приложено положительное напряжение, то канал обогащается электронами, и увеличивается проводимость канала (режим обогащения). Наоборот, при отрицательном напряжении на затворе в канале у границы раздела кремний-оксид наблюдается обеднение элек тронами, и проводимость канала уменьшается (режим обеднения). В МДП- транзисторе с p-каналом (р и с .2 ,б ) в зависимости от полярности напря жения на затворе наблюдается обогащение ( ^ < 0 ) или обедне...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Пиганов М. Н. | ru |
dc.contributor.author | Дмитриев В. Д. | ru |
dc.contributor.author | Леднев М. А. | ru |
dc.contributor.author | Государственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школы | ru |
dc.contributor.author | Самарский авиационный институт им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | конденсаторы | ru |
dc.coverage.spatial | МДП-структуры | ru |
dc.coverage.spatial | МДП-транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | методические издания | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые интегральные микросхемы | ru |
dc.coverage.spatial | резистор | ru |
dc.date.accessioned | 2022-03-23 10:30:50 | - |
dc.date.available | 2022-03-23 10:30:50 | - |
dc.date.issued | 1991 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\476805 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование конструкции полупроводниковых МДП-микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост.: М. Н. Пиганов, В. Д. Дмитриев, М. А. Леднев. - Самара, 1991. - 1 файл (264,25 Кб) | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-konstrukcii-poluprovodnikovyh-MDPmikroshem-96302 | - |
dc.description.abstract | Дается анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем на МДП-транзисторах, их элементов, структур(методов изоляции). Предлагается определять разновидности конструкций МДП-транзисторов интегральных микросхем; воспроизвести топологический чертеж и структуру кристалла, схему технологического процесса изготовления МДП интегральных микросхем, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников САИ (электрон. версия). | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование конструкций полупроводниковых МДП-микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : непосредственный | ru |
dc.title | Исследование конструкции полупроводниковых МДП-микросхем | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.03.05 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.049.77.002(075) | ru |
dc.subject.udc | 621.382.3(075) | ru |
dc.textpart | р и с .2 ,а) к затвору относительно канала приложено положительное напряжение, то канал обогащается электронами, и увеличивается проводимость канала (режим обогащения). Наоборот, при отрицательном напряжении на затворе в канале у границы раздела кремний-оксид наблюдается обеднение элек тронами, и проводимость канала уменьшается (режим обеднения). В МДП- транзисторе с p-каналом (р и с .2 ,б ) в зависимости от полярности напря жения на затворе наблюдается обогащение ( ^ < 0 ) или обедне... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Пиганов М.Н. Исследование конструкции 1991.pdf | 264.25 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.