Отрывок: 4. Зонны е»ди аг раммы полупровод ника n -типа в области контакта металл-по-. лупроводник: а — при отсутствии внешнего поля; б, в — при при ложении к контакту напряж ения в за п о р ном и в прямом н а правлениях соответ ственно $ ,-3 ■ Ч . Ггt c г У гп --------------------ц Рн - - - - зад ач и о величине проходящ его через барьер тока используют две теории — диодную и диффузионную . Если потенциальный барьер тонок и свободные носите...
Название : | Исследование распределения электрического поля в полупроводнике |
Авторы/Редакторы : | Колпаков А. И. Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева |
Дата публикации : | 1989 |
Библиографическое описание : | Исследование распределения электрического поля в полупроводнике : [метод. указания]. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. А. И. Колпаков]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (546,48 Кб) |
Аннотация : | Используемые программы Adobe Acrobat Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия) |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-raspredeleniya-elektricheskogo-polya-v-poluprovodnike-96649 |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\478518 |
Ключевые слова: | методические издания полупроводники электрические поля электричество |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Колпаков А.И. Исследование распределения 1989.pdf | 546.48 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.