Отрывок: Для устранения этой неопределенности в большинстве практических случа- 14 ев высокочастотные свойства (быстродействие) туннельного диода оценивают по увеличению отношения барп CI . Предельную частоту туннельного диода определяет величина ре- зонансной частоты паразитных колебани...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Колпаков А. И. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Кричевский С. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | термоэлектронная эмиссия | ru |
dc.coverage.spatial | отрицательное дифференциальное сопротивление | ru |
dc.coverage.spatial | эффект туннелирования | ru |
dc.coverage.spatial | электронные схемы | ru |
dc.coverage.spatial | надбарьерная эмиссия | ru |
dc.coverage.spatial | обращенные диоды | ru |
dc.coverage.spatial | туннельные диоды | ru |
dc.coverage.spatial | туннельные p-n-переходы | ru |
dc.coverage.spatial | вольтамперные характеристики | ru |
dc.date.issued | 2016 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\337707 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование статических характеристик туннельного диода [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост.: А. И. Колпаков, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). | ru |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Описываются физические явления, возникающие при туннельном прохождении электрона через потенциальный барьер, изложены принципы формирования электрических характеристик туннельных и обращенных диодов и методики построения электронных схем генераторов и уси | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 466 Кб) | ru |
dc.publisher | Изд-во Самар. ун-та | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование статических характеристик туннельного диода [Электронный ресурс] : [метод. указания к лаб. работам по прогр. высш. образования] | ru |
dc.title | Исследование статических характеристик туннельного диода | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.2(075) | ru |
dc.textpart | Для устранения этой неопределенности в большинстве практических случа- 14 ев высокочастотные свойства (быстродействие) туннельного диода оценивают по увеличению отношения барп CI . Предельную частоту туннельного диода определяет величина ре- зонансной частоты паразитных колебани... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Колпаков А.И. Исследование статистических.pdf | 466.95 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.