Отрывок: У них один или оба слоя (обкладки) выполнены в процессе диффузии, поэтому их называют диффузионными. На рис. 10,б показана структура МОП-конденсатора. Ниж- ней обкладкой служит эмиттерный n+-слой. Основные параметры полупро- водниковых конденсаторов приведены в табл. 2. Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. Таблица ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Пиганов М. Н. | ru |
dc.contributor.author | Волков А. В. | ru |
dc.contributor.author | Меркулов А. И. | ru |
dc.contributor.author | Федеральное агентство по образованию | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | резисторы | ru |
dc.coverage.spatial | биполярные транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | биполярные полупроводниковые микросхемы | ru |
dc.coverage.spatial | конденсаторы | ru |
dc.coverage.spatial | методы изоляции элементов | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые микросхемы | ru |
dc.coverage.spatial | диоды | ru |
dc.date.issued | 2010 | ru |
dc.identifier | RU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/А 64-274631 | ru |
dc.identifier.citation | Анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [метод. указания] / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (Нац. исслед. ун-т) ; [сост. М. Н. Пиганов и др.]. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2010. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия) | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 460 Кбайт) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | [Изд-во СГАУ] | ru |
dc.relation.isformatof | Анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [Текст] : [метод. указания] | ru |
dc.title | Анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33.31 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.049.77(075) | ru |
dc.subject.udc | СГАУ:6(075) | ru |
dc.textpart | У них один или оба слоя (обкладки) выполнены в процессе диффузии, поэтому их называют диффузионными. На рис. 10,б показана структура МОП-конденсатора. Ниж- ней обкладкой служит эмиттерный n+-слой. Основные параметры полупро- водниковых конденсаторов приведены в табл. 2. Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. Таблица ... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Пиганов М.Н. Анализ конструкций.pdf | from 1C | 460.96 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.