Отрывок: Она выражается соотношением√D = f(ξ /√D), которое имеет максималь- ное значение ξпр/√Dпр, выше которого уравнение теплового баланса ре- шения не имеет. Это значение соответствует условию теплового пробоя. Математически условие пробоя может быть выражено в виде: d(ξ /√D)/ d√D = 0. После подстановки функций ξ =f...
Название : | Полупроводниковые и диэлектрические структуры для устройств микроэлектроники |
Авторы/Редакторы : | Латухина Н. В. Шалимова М. Б. Министерство образования и науки Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) |
Дата публикации : | 2016 |
Издательство : | Изд-во Самар. ун-та |
Библиографическое описание : | Полупроводниковые и диэлектрические структуры для устройств микроэлектроники [Электронный ресурс] : [метод. указания] / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; сост. Н. В. Латухина, М. Б. Шалимова. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2016. - on-line |
Аннотация : | Гриф. Используемые программы: Adobe Acrobat. Труды сотрудников Самар. ун-та (электрон. версия). Методические указания к лабораторным работам содержат материалы для подготовки к лабораторным работам по курсам «Физика полупроводниковых приборов» и «Физика диэлектриков». Методика проведения эксперимента и обработки данных дополнена кратким изложением т |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\346238 |
Ключевые слова: | вольтамперная характеристика p-n перехода тепловой пробой диэлектриков ферримагнетики поляризация полупроводниковые терморезисторы сегнетоэлектрики |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Латухина Н.В. Полупроводниковые.pdf | 564.29 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.