Отрывок: В этом случае если стержень выполнен из кремния, а его сечение располагается в кристаллографической плоскости 111, то плоскость сечения проходит вдоль диагоналей куба, образуя равносторонний треуголь ник. Следовательно, при наличии такого отклонения при селективном травле нии пластин на их поверхности образуются ямки травления в виде равнобед ренного треугольника или трапеций. По степени отклонения фигур от правиль ной геометрической формы предлагается осуществлять оценк...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Рогова А. С. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков А. И. | ru |
dc.coverage.spatial | разрезание на пластины | ru |
dc.coverage.spatial | разрезание полупроводниковых стержней | ru |
dc.coverage.spatial | алмазоподобные полупроводники | ru |
dc.coverage.spatial | физико-математические модели | ru |
dc.coverage.spatial | корреляция параметров кристалла | ru |
dc.coverage.spatial | кристаллографические параметры поверхности пластины | ru |
dc.coverage.spatial | кристаллы | ru |
dc.coverage.spatial | пластины кремния КЭФ-32 | ru |
dc.coverage.spatial | параметры кристаллов | ru |
dc.creator | Рогова А. С. | ru |
dc.date.issued | 2005 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\458711 | ru |
dc.identifier.citation | Рогова, А. С. Исследование корелляции параметров кристалла и режимов процесса разрезания полупроводниковых стержней на пластины / А. С. Рогова ; науч. руководитель А. И. Колпаков // VIII Королевские чтения: Всерос. молодежн. науч. конф. с междунар. участием, 4-6 окт. 2005 г. : сб. тр. / М-во образования и науки Рос. Федерации; Федер. агентство по образованию; Адм. Самар. обл.; Самар. науч. центр Рос. акад. наук; Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева; Гос. науч.-произв. ракет.- косм. центр "ЦСКБ - Прогресс"; ред. И. В. Белоконов. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 260. | ru |
dc.source | VIII Королевские чтения: Всерос. молодежн. науч. конф. с междунар. участием, 4-6 окт. 2005 г. : сб. тр. - Текст : электронный | ru |
dc.title | Исследование корелляции параметров кристалла и режимов процесса разрезания полупроводниковых стержней на пластины | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.spage | 260 | ru |
dc.textpart | В этом случае если стержень выполнен из кремния, а его сечение располагается в кристаллографической плоскости 111, то плоскость сечения проходит вдоль диагоналей куба, образуя равносторонний треуголь ник. Следовательно, при наличии такого отклонения при селективном травле нии пластин на их поверхности образуются ямки травления в виде равнобед ренного треугольника или трапеций. По степени отклонения фигур от правиль ной геометрической формы предлагается осуществлять оценк... | - |
Располагается в коллекциях: | Королевские чтения |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр. 260.pdf | 54.19 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.