Отрывок: В частности, следует отметить тот немаловажный факт, что при изменении ширины запрещенной зоны собственного полупроводника или его температуры всего в два раза концентрация носителей заряда может измениться на несколько порядков. В примесных полупроводниках донорного типа зонная энергетическая диаграмма имеет в запрещенной зоне дополнительную узкую донорную зону, изначально...
Название : | Физические основы электроники |
Авторы/Редакторы : | Саноян А. Г. Министерство образования и науки России Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) |
Дата публикации : | 2012 |
Библиографическое описание : | Физические основы электроники [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE / Минобрнауки России, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [авт.-сост. А. Г. Саноян]. - Самара, 2012. - on-line |
Аннотация : | Используемые программы: Система дистанционного обучения. Труды сотрудников СГАУ(электрон. версия). |
Другие идентификаторы : | RU/НТБ СГАУ/WALL/621.3/Ф 505-104179 |
Ключевые слова: | физические основы электроники электроника |
Располагается в коллекциях: | Учебные издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Саноян А. Г. Физические.pdf | 1.9 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.