Отрывок: е. g0 = g n0 р0, где g – постоянная ре- комбинация. Если происходит нарушение равновесия, то возникает несо- ответствие между процессами рекомбинации и генерации. Число пар, ре- комбинирующих за 1 с в единице объема, будет равно ( ) ( )o oo r r dpdn np g np n pdt dt g g æ ö- =- = - = -ç ÷ è ø , (4.17) где n и p – неравновесная концентрация электронов и дырок. На уменьшении неравновесной концентрации указывает минус в ле- вой части уравнения. Пусть свет создает допо...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Комов А. Н. | ru |
dc.contributor.author | Лизункова Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) (2009-2015) | ru |
dc.coverage.spatial | внутренняя структура твердых тел | ru |
dc.coverage.spatial | зонная теория твердого тела | ru |
dc.coverage.spatial | силы связи | ru |
dc.coverage.spatial | физика полупроводниковой электроники | ru |
dc.coverage.spatial | статистическая физика | ru |
dc.coverage.spatial | учебные издания | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковая электроника | ru |
dc.creator | Комов А. Н., Лизункова Д. А. | ru |
dc.date.issued | 2015 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\409767 | ru |
dc.identifier.citation | Комов, А. Н. Введение в физику полупроводниковой электроники [Электронный ресурс] : учеб. пособие / А. Н. Комов, Д. А. Лизункова ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т), Каф. радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники. - Самара : Изд-во "Самар. ун-т", 2015. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Учебное пособие посвящено основным вопросам по курсу физики полупроводниковой электроники. Особое внимание уделено процессам, возникающим при взаимодействии металла и пролупроводника, а также зависимости коэффициента поглощения от длины волны. Некоторые разделы пособия существенно расширены анализом свойств полупроводниковых приборов, используемых для научных и технических приложенийв современной электронике. Предназначено для студентов физико-математических факультетов высших учебных заведений. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия). | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 40,6 Мб) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | Изд-во "Самар. ун-т" | ru |
dc.title | Введение в физику полупроводниковой электроники | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.03 | ru |
dc.subject.udc | 621.382(075) | ru |
dc.textpart | е. g0 = g n0 р0, где g – постоянная ре- комбинация. Если происходит нарушение равновесия, то возникает несо- ответствие между процессами рекомбинации и генерации. Число пар, ре- комбинирующих за 1 с в единице объема, будет равно ( ) ( )o oo r r dpdn np g np n pdt dt g g æ ö- =- = - = -ç ÷ è ø , (4.17) где n и p – неравновесная концентрация электронов и дырок. На уменьшении неравновесной концентрации указывает минус в ле- вой части уравнения. Пусть свет создает допо... | - |
Располагается в коллекциях: | Учебные издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Комов А.Н. Введение в физику.pdf | 41.66 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.