Отрывок: Для микросхем, не содержащих конденсаторы: первый слой - резистивный; второй слой - выводы резисторов, контактные площадки, часть проводников; третий слой - диэлектрический, в местах пересечения провод ников; четвертый слой - оставшаяся часть проводников; пятый слой - защитный. Для микросхем с конденсаторами: первый слой - резистивный; о...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Меркулов А. И. | ru |
dc.contributor.author | Меркулов В. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | микроэлектроника | ru |
dc.coverage.spatial | гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) | ru |
dc.coverage.spatial | интегральные микросхемы (ИМС) | ru |
dc.coverage.spatial | надежность микроэлектронной аппаратуры | ru |
dc.coverage.spatial | RC-цепи | ru |
dc.coverage.spatial | конструкции ГИС СВЧ | ru |
dc.coverage.spatial | перспективы развития микроэлектроники | ru |
dc.coverage.spatial | тепловые режимы ГИС | ru |
dc.coverage.spatial | тонкопленочные резисторы | ru |
dc.coverage.spatial | тонкопленочные конденсаторы (ТПК) | ru |
dc.coverage.spatial | радиоэлектронные средства | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые ИМС | ru |
dc.creator | Меркулов А. И., Меркулов В. А. | ru |
dc.date.issued | 2013 | ru |
dc.identifier | RU/НТБ СГАУ/WALL/621.3/М 523-361383 | ru |
dc.identifier.citation | Меркулов, А. И. Основы конструирования интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [учеб. для вузов] / А. И. Меркулов, В. А. Меркулов ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т). - Самара : [Изд-во СГАУ], 2013. - on-line. - ISBN = 978-5-7883-0925-5 | ru |
dc.identifier.isbn | 978-5-7883-0925-5 | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СГАУ(электрон. версия). | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Рассмотрены основные аспекты возникновения и развития микроэлектроники. Дается представление об уровне современной микроэлектроники, ее методах, средствах, проблемах и перспективах. Обосновывается выбор материалов и конструкций тонкопленочных, толстоплено | ru |
dc.format.extent | Электрон. граф. дан. (1 файл : 87,7 Мбаита) | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | [Изд-во СГАУ] | ru |
dc.relation.isformatof | Основы конструирования интегральных микросхем [Текст] : [учеб. по направлению "Проектирование и технология электрон. средств"] | ru |
dc.relation.isformatof | Основы конструирования интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [учеб. для вузов] | ru |
dc.title | Основы конструирования интегральных микросхем | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33.31 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.049.77(075) | ru |
dc.textpart | Для микросхем, не содержащих конденсаторы: первый слой - резистивный; второй слой - выводы резисторов, контактные площадки, часть проводников; третий слой - диэлектрический, в местах пересечения провод ников; четвертый слой - оставшаяся часть проводников; пятый слой - защитный. Для микросхем с конденсаторами: первый слой - резистивный; о... | - |
Располагается в коллекциях: | Учебные издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Меркулов А.И. Основы конструирования.pdf | from 1C | 89.85 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.