Отрывок: На этом принципе основан ме тод контроля приборов по т - характеристикам. Согласно этому методу ток контролируется в 17 дискретных точках в следующих поддиапазонах (рис.2): I (малые токи): к г 10 -ИСГ7А, П (средние токи): 3 • 10-7 * 10-4 А, Ш (большие токи): 3 • 10 4 %■ 10-2 А. По результатам измерений строятся т - характеристики и сравнива ются с идеализированной характеристикой (рис 1). согласно которой у совершенной полупроводниковой кремниевой структуры в поддиапазоне 1 коэф...
Название : | Контроль полупроводниковых диодов по m-параметру |
Авторы/Редакторы : | Карпин, А.Н. Пиганов, М.Н. Бабин, С.А. |
Ключевые слова : | контроль диодов m-параметр вольтамперной характеристики |
Дата публикации : | 1999 |
Издательство : | СГАУ |
Библиографическое описание : | Карпин, А. Н. Контроль полупроводниковых диодов по m-параметру / А. Н. Карпин, М. Н. Пиганов, С. А. Бабин // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; [под общ. ред. Ю. Ф. Широкова]. – Самара : СГАУ, 1999. – Вып. 2. – С. 58-62. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Kontrol-poluprovodnikovyh-diodov-po-mparametru-65230 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20170911\65230 |
Располагается в коллекциях: | Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
apr_1999_14.pdf | Основная статья | 1.77 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.