Отрывок: 6) Исключая из (2.5) и (2.6) постоянные A и B, получим уравнение относительно γ : ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 2 22 2 2 2 0 02 2 a ttk tg k k ctg kγ γ γ γ − + + = + + (2.7) Уравнение (2.7) – трансцендентное, его решение возможно лишь с использованием численных методов. Результаты численное решения уравнения (2.7) для кремниевых подложек и слоев карбида кремния показаны на рисунках 2.9 и 2.10 соответственно. 18 Рисунок 2.9 –...
Название : | Электрофизические параметры структур карбид кремния на кремнии в области сверхвысоких частот |
Авторы/Редакторы : | Хлутчина А. С. Щербак А. В. Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) Естественнонаучный институт |
Дата публикации : | 2022 |
Библиографическое описание : | Хлутчина, А. С. Электрофизические параметры структур карбид кремния на кремнии в области сверхвысоких частот : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) «Физика» / А. С. Хлутчина ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики тве. - Самара, 2022. - 1 файл (3,2 Мб). - Текст : электронный |
Аннотация : | Выпускная работа включает в себя 33 страницы, 3 главы, введение, заключение, 20 рисунков, 47 литературных источников. Объектом исследования являются структуры карбид кремния на кремнии и карбид кремния на поликоре, получаемых методом эндотаксии и ВЧ магнетронного распыления. Предметом исследования являются электрофизические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить удельное сопротивление тонких пленок карбида кремния на монокристаллических (кремний, сапфир) и поликристаллических (поликор) подложках, полученные с помощью волновода, частично перекрытого образцом. В первой главе рассмотрены свойства и некоторые методы получения тонкопленочных структур карбида кремния. Вторая глава посвящена методам исследования электрофизических параметров полупроводниковых материалов. В третьей главе представлены результаты исследования структур карбид кремния на кремнии и поликоре. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приб |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Elektrofizicheskie-parametry-struktur-karbid-kremniya-na-kremnii-v-oblasti-sverhvysokih-chastot-100002 |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20221021115003 |
Ключевые слова: | кремний метод зндотаксии сверхвысокие частоты структуры карбид кремния |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Хлутчина_Анастасия_Сергеевна_Электрофизические_параметры_структур_карбид.pdf | 1.24 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.