Электрофизические свойства структур «карбид кремния на кремнии» и «карбид кремния на поликоре» на сверхвысоких частотах

Abstract

Объектом исследования является структуры карбид кремния на кремнии и карбид кремния на поликоре, получаемых методом эндотаксии и ВЧ магнетронного распыления. Предметом исследования являются электрофизические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить удельное сопротивление тонких пленок карбида кремния на монокристаллических (кремний, сапфир) и поликристаллических (поликор) подложках, полученные с помощью волновода частично перекрытого образцом. В первой главе рассмотрены свойства и некоторые методы получения тонкопленочных структур карбида кремния. Вторая глава посвящена методам исследования электрофизических параметров полупроводниковых материалов. В третьей главе представлены результаты исследования структур карбид кремния на кремнии и поликоре. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения.