Отрывок: Что приводит к переходу молекулы SiF4 или SiHF3 в раствор и восстановлением исходного состояния гидророванной поверхности. Вариации этого подхода сводятся к вопросу о локализации образования молекулярного водорода — непосредственно на поверхности кристалла (для иллюстрации модели всегда выбирается поверхность (100), терминированная группами SiН2) ил...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Перебалин Р. А. | ru |
dc.contributor.author | Карпеев С. В. | ru |
dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | кремниевые нанонити | ru |
dc.coverage.spatial | наноструктурированный кремний | ru |
dc.coverage.spatial | напыление | ru |
dc.coverage.spatial | пористый кремний | ru |
dc.coverage.spatial | структуры с пористым кремнием | ru |
dc.coverage.spatial | травление | ru |
dc.coverage.spatial | фоточувствительность | ru |
dc.coverage.spatial | фотоэлектрические характеристики | ru |
dc.creator | Перебалин Р. А. | ru |
dc.date.issued | 2021 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914114415 | ru |
dc.identifier.citation | Перебалин, Р. А. Фотоэлектрические характеристики структур с пористым кремнием, полученным разными способами : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Р. А. Перебалин ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2021. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования в данной работе являются фоточувствительные структуры с наноструктурированным кремнием. Цель работы - исследование фотоэлектрических характеристик фоточувствительных структур с пористым кремнием.В результате проведения эксперимента были получены фоточувствительные структуры с пористым кремнием тремя разными методами. На основе результатов, полученных в ходе работы, был сделан вывод о практической значимости пористого слоя на поверхности кремниевой пластины в фоточувствительных структурах. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 3,2 Мб) | ru |
dc.title | Фотоэлектрические характеристики структур с пористым кремнием, полученным разными способами | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.29 | ru |
dc.subject.udc | 539.1 | ru |
dc.textpart | Что приводит к переходу молекулы SiF4 или SiHF3 в раствор и восстановлением исходного состояния гидророванной поверхности. Вариации этого подхода сводятся к вопросу о локализации образования молекулярного водорода — непосредственно на поверхности кристалла (для иллюстрации модели всегда выбирается поверхность (100), терминированная группами SiН2) ил... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Перебалин_Роман_Андреевич_Фотоэлектрические_характеристики_структур.pdf | 3.23 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.