Отрывок: Такая ситуация имеет место в области основного поглощения для полупроводниковых материалов с любой 20 концентрацией примесей и носителей заряда, а для сильнолегированных полупроводников и полуметаллов – во всей области спектра. Определить n и k при любом соотношении их величин можно...
Название : | Фотоэлектрические и оптические свойства структур карбида кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксии |
Авторы/Редакторы : | Рябенкова О. В. Щербак А. В. Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) Естественнонаучный институт |
Дата публикации : | 2023 |
Библиографическое описание : | Рябенкова, О. В. Фотоэлектрические и оптические свойства структур карбида кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) «Физика» / О. В. Рябенкова ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики тв. - Самара, 2023. - 1 файл (2,0 Мб). - Текст : электронный |
Аннотация : | Выпускная работа включает в себя 41 страниц, 3 главы, введение, заключение, 20 рисунков, 36 литературных источника. Объектом исследования являются структуры карбида кремния на кремнии, получаемые методом эндотаксии. Предметом исследования являются фотоэлектрические и оптические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить оптические и фотоэлектрические свойства структур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии. В первой главе рассмотрены способы получения как объемных образцов карбида кремния, так и в виде пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. Вторая глава посвящена методам определения оптических параметров полупроводников и структур. В третьей главе представлены результаты определения оптических параметров структур карбид кремния на кремнии. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электрони |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20230728134131 |
Ключевые слова: | карбид кремния метод эндотаксии |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Рябенкова_Олеся_Витальевна_Фотоэлектрические_оптические_свойства.pdf | 2.07 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.