Отрывок: Такая ситуация имеет место в области основного поглощения для полупроводниковых материалов с любой 20 концентрацией примесей и носителей заряда, а для сильнолегированных полупроводников и полуметаллов – во всей области спектра. Определить n и k при любом соотношении их величин можно...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Рябенкова О. В. | ru |
dc.contributor.author | Щербак А. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Естественнонаучный институт | ru |
dc.coverage.spatial | карбид кремния | ru |
dc.coverage.spatial | метод эндотаксии | ru |
dc.creator | Рябенкова О. В. | ru |
dc.date.issued | 2023 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20230728134131 | ru |
dc.identifier.citation | Рябенкова, О. В. Фотоэлектрические и оптические свойства структур карбида кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) «Физика» / О. В. Рябенкова ; рук. работы А. В. Щербак ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики тв. - Самара, 2023. - 1 файл (2,0 Мб). - Текст : электронный | ru |
dc.description.abstract | Выпускная работа включает в себя 41 страниц, 3 главы, введение, заключение, 20 рисунков, 36 литературных источника. Объектом исследования являются структуры карбида кремния на кремнии, получаемые методом эндотаксии. Предметом исследования являются фотоэлектрические и оптические параметры исследуемых структур. Цель данной работы: экспериментально определить оптические и фотоэлектрические свойства структур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии. В первой главе рассмотрены способы получения как объемных образцов карбида кремния, так и в виде пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. Вторая глава посвящена методам определения оптических параметров полупроводников и структур. В третьей главе представлены результаты определения оптических параметров структур карбид кремния на кремнии. Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электрони | ru |
dc.title | Фотоэлектрические и оптические свойства структур карбида кремния на кремнии, получаемых методом эндотаксии | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.01 | ru |
dc.subject.udc | 538.9 | ru |
dc.textpart | Такая ситуация имеет место в области основного поглощения для полупроводниковых материалов с любой 20 концентрацией примесей и носителей заряда, а для сильнолегированных полупроводников и полуметаллов – во всей области спектра. Определить n и k при любом соотношении их величин можно... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Рябенкова_Олеся_Витальевна_Фотоэлектрические_оптические_свойства.pdf | 2.07 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.