Отрывок: 2.2.2 Методика проведения диффузии 𝑃 −𝑛- переход в образцах создавался диффузией фосфора из плёнки фосфор- ного диффузанта для стороны 𝑛-типа, а для стороны 𝑝-типа наносилась плёнка из борного диффузанта. Процесс диффузии для стороны p проходил 30 минут при температуре 1000±5∘C в среде аргон. При таком режиме диффузии глубина зале- гания p−n-перехода 0.2 мкм. Процесс диффузии для сто...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Шишкин И. А. | ru |
dc.contributor.author | Латухина Н. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Естественнонаучный институт | ru |
dc.coverage.spatial | коэффициент отражения | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые фотоэлементы | ru |
dc.coverage.spatial | пористый кремний | ru |
dc.coverage.spatial | фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) | ru |
dc.coverage.spatial | спектральная фоточувствительность | ru |
dc.creator | Шишкин И. А. | ru |
dc.date.issued | 2018 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111918 | ru |
dc.identifier.citation | Шишкин, И. А. Характеристики и параметры структур для ФЭП на основе пористого кремния : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Шишкин Иван Александрович ; рук. работы Латухина Наталья Виленовна ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак. - Самара, 2018. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Работа включает в себя: 60 страниц,56 иллюстрация, 4 таблицы, 28 использованных источников. Объектом исследования данной работы являются структуры для создания фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе пористого кремния с покрытиями и 3. Цель работы - исследование фотоэлектрических свойств структур на основе пористого кремния с покрытиями и 3 изготовленных по различным технологическим маршрутам. Получены и исследованы структуры, содержащие слои пористого кремния с использованием пленок фторида диспрозия и сульфида цинка. Проведены исследования изображений, полученных с электронного и зондового микроскопа, поверхностей изготовленных ФЭП. Измерены вольт-амперные характеристики, спектральные зависимости коэффициенты отражения и фоточувствительности образцов. Построена физико-математическая модель ФЭП с пористым кремием в пакете COMSOL Multiphysics. Результаты данной выпускной квалификационной работы могут быть использованы при разработке технологии создания многослойных структур для ФЭП на основе порист | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 7,6 Мб) | ru |
dc.title | Характеристики и параметры структур для ФЭП на основе пористого кремния | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 44.41.35 | ru |
dc.subject.udc | 539.1 | ru |
dc.subject.udc | 621.383 | ru |
dc.textpart | 2.2.2 Методика проведения диффузии 𝑃 −𝑛- переход в образцах создавался диффузией фосфора из плёнки фосфор- ного диффузанта для стороны 𝑛-типа, а для стороны 𝑝-типа наносилась плёнка из борного диффузанта. Процесс диффузии для стороны p проходил 30 минут при температуре 1000±5∘C в среде аргон. При таком режиме диффузии глубина зале- гания p−n-перехода 0.2 мкм. Процесс диффузии для сто... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Шишкин_Иван_Александрович_Характеристики_параметры_структур.pdf | 7.78 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.