Отрывок: В роли контактов применялись идеальные контакты Шоттки. Для наиболее быстрого получения работающего p–n-перехода авторы не включали просветляющие покрытия в структуру. Варьируемыми величинами были толщина d фронтального слоя n+ и концентрация основных носителей заряда ND. Диапазоны варьирования указаны в таблице 1. Рекомбинация носителей заряда не учитывалась, за счет длин свободного пробега ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Хоробров В. С. | ru |
dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Гурская А. В. | ru |
dc.contributor.author | Ерендеев Ю. П. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики и кибернетики | ru |
dc.coverage.spatial | COMSOL Multiphysics | ru |
dc.coverage.spatial | газофазное осаждение | ru |
dc.coverage.spatial | карбид кремния | ru |
dc.coverage.spatial | моделирование роста пленок | ru |
dc.coverage.spatial | оптические покрытия | ru |
dc.coverage.spatial | фоточувствительные структуры кремния | ru |
dc.creator | Хоробров В. С. | ru |
dc.date.accessioned | 2022-07-06 14:33:02 | - |
dc.date.available | 2022-07-06 14:33:02 | - |
dc.date.issued | 2022 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20220621142619 | ru |
dc.identifier.citation | Хоробров, В. С. Моделирование роста плёнок на фоточувствительных структурах кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 "Прикладные математика и физика" (уровень магистратуры) / В. С. Хоробров ; рук. работы Д. А. Шишкина ; рец. А. В. Гурская ; нормоконтролер Ю. П. Ерендеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-. - Самара, 2022. - 1 файл (5,7 Мб). - Текст : электронный | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Modelirovanie-rosta-plenok-na-fotochuvstvitelnyh-strukturah-kremniya-98208 | - |
dc.description.abstract | Объектом исследования является физико-математическая модель процесса создания покрытия на фоточувствительные элементы SiC/Si.Цель работы – разработка физико-математической модели, описывающую процесс нанесения покрытия на фоточувствительный кремниевый элемент. В результате работы получена физико-математическая модель,описывающая получение структур SiC/Si методом высокотемпературного CVD, а также фоточувствительные структуры SiC/Si. Результаты данной работы могут быть использованы при разработкеустройств для биомедицины, электроники и солнечной энергетики. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 5,7 Мб) | ru |
dc.title | Моделирование роста плёнок на фоточувствительных структурах кремния | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.31 | ru |
dc.subject.udc | 535.41 | ru |
dc.textpart | В роли контактов применялись идеальные контакты Шоттки. Для наиболее быстрого получения работающего p–n-перехода авторы не включали просветляющие покрытия в структуру. Варьируемыми величинами были толщина d фронтального слоя n+ и концентрация основных носителей заряда ND. Диапазоны варьирования указаны в таблице 1. Рекомбинация носителей заряда не учитывалась, за счет длин свободного пробега ... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Хоробров_Виталий_Сергеевич_Моделирование_роста_плёнок.pdf | 5.83 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.