Отрывок: В результате встречно направленные темновые токи уравновешивают друг друга, и положение эквипотенциали (точка, в которой потенциалы верхней и нижней шины равны между собой) находится в центре Мультискана. 24 При воздействии светового сигнала генерируемый фототок за счет заряда суммарной емкости фотоприемника изменяет потенци...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Медведев С. М. | ru |
dc.contributor.author | Чепурнов В. И. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Естественнонаучный институт | ru |
dc.coverage.spatial | гетероструктуры SiC/Si | ru |
dc.coverage.spatial | освещенность | ru |
dc.coverage.spatial | карбид кремния | ru |
dc.coverage.spatial | датчики интегрального типа | ru |
dc.coverage.spatial | датчики линейного перемещения | ru |
dc.coverage.spatial | позиционно-чувствительные датчики | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые позиционно-чувствительные датчики | ru |
dc.creator | Медведев С. М. | ru |
dc.date.issued | 2018 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111209 | ru |
dc.identifier.citation | Медведев, С. М. Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Медведев Семен Михайлович ; рук. работы Чепурнов Виктор Иванович ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естественнонауч., Фак-т физ. - Самара, 2018. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Актуальность проекта –структура SiC/Si имеет большое количество структурных решений, которые можно использовать для изготовления широкого спектра приборов.Цель работы заключается в оценке функциональных возможностей полупроводниковой гетероструктуры для чувствительного элемента позиционно-чувствительного датчика и выборе структуры для позиционно-чувствительного датчика и исследование фотоэлектрических свойств.В данной работе были поставлены следующие задачи:- изучить возможные гетероструктуры для позиционно-чувствительного датчика;- провести исследования изготовления стенда для позиционно-чувствительного датчика;- определить результаты измерения и их обработку. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,3 Мб) | ru |
dc.title | Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.29.31 | ru |
dc.subject.udc | 621.383 | ru |
dc.textpart | В результате встречно направленные темновые токи уравновешивают друг друга, и положение эквипотенциали (точка, в которой потенциалы верхней и нижней шины равны между собой) находится в центре Мультискана. 24 При воздействии светового сигнала генерируемый фототок за счет заряда суммарной емкости фотоприемника изменяет потенци... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Медведев_Семён_Михайлович_ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ_ПОЗИЦИОННО_ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ_ДАТЧИК.pdf | 1.28 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.