Отрывок: слоя = S × d , (4) P = Δm ρ×S×d , (5) где P - это пористость, Δm - изменение массы образца, S - площадь пористого слоя, d - толщина пористого слоя, Vпор - объём пор, Vпор.слоя - объём пористого слоя, p - плотность кремния (p=2,33 г/см3). 2.2.2 Исследование вольт ёмкостных характеристик Для измерения вольт-фарадн...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Нестеров Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Латухина Н. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Естественнонаучный институт | ru |
dc.coverage.spatial | пористый кремний | ru |
dc.coverage.spatial | растровая электронная микроскопия | ru |
dc.coverage.spatial | редкоземельные элементы | ru |
dc.coverage.spatial | спектральный анализ | ru |
dc.coverage.spatial | фотоэлектрические преобразователи | ru |
dc.creator | Нестеров Д. А. | ru |
dc.date.accessioned | 2023-10-02 13:18:56 | - |
dc.date.available | 2023-10-02 13:18:56 | - |
dc.date.issued | 2023 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20230731110132 | ru |
dc.identifier.citation | Нестеров, Д. А. Структуры с пористым кремнием, допированным эрбием, для оптоэлектроники : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Д. А. Нестеров ; рук. работы Н. В. Латухина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики т. - Самаpа, 2023. - 1 файл (2,20 Мб). - Текст : электронный | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Struktury-s-poristym-kremniem-dopirovannym-erbiem-dlya-optoelektroniki-105627 | - |
dc.description.abstract | Цель работы - изучение свойств пористого кремния, допированного эрбием, для создания материалов, позволяющих существенно расширить диапазон эффективно используемого спектра, а впоследствии создание более эффективного фотоэлектрического преобразователя солнечных панелей. Результаты исследований подтверждают возможность использования пористого кремния, допированного ионами эрбия, в качестве материала для оптоэлектроники. Интересными для исследования характеристиками таких образцов являются их способность к ап-конверсии и люминесценции. Кроме того, спектры микрофотолюминесценции показали зависимость интенсивности фотолюминесценции от пористости кремния, что может быть использовано для разработки более эффективных фотоэлектрических преобразователей на основе пористого кремния. | ru |
dc.title | Структуры с пористым кремнием, допированным эрбием, для оптоэлектроники | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.29 | ru |
dc.subject.udc | 539.1 | ru |
dc.textpart | слоя = S × d , (4) P = Δm ρ×S×d , (5) где P - это пористость, Δm - изменение массы образца, S - площадь пористого слоя, d - толщина пористого слоя, Vпор - объём пор, Vпор.слоя - объём пористого слоя, p - плотность кремния (p=2,33 г/см3). 2.2.2 Исследование вольт ёмкостных характеристик Для измерения вольт-фарадн... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Нестеров_Дмитрий_Андреевич_Структуры_пористым_кремнием,.pdf | 2.25 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.