Отрывок: область полупроводника; – построение концентрационных профилей атомов полупроводника и «вакансий» в расплаве в логарифмическом масштабе; – расчёт времени облучения структуры металл-полупроводник для достижения заданных глубины легирования и концентрации атомов полупроводника в слое расплава; – визуализация концентрационных профилей в цвете; – формирование базы данных материалов, образующих структуру «металл-полупроводник», с возможностью ввода, сохранения, удаления, редактирования...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Николаев, А.В. | - |
dc.contributor.author | Маркушин, М.А. | - |
dc.contributor.author | Колпаков, В.А. | - |
dc.date.accessioned | 2019-06-17 10:16:47 | - |
dc.date.available | 2019-06-17 10:16:47 | - |
dc.date.issued | 2019-05 | - |
dc.identifier | Dspace\SGAU\20190613\77419 | ru |
dc.identifier.citation | Николаев, А.В. Исследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспечения / А.В. Николаев, М.А. Маркушин, В.А. Колпаков М.А. Маркушин, В.А. Колпаков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций: материалы Всероссийской научно-технической конференции (г. Самара, 14-16 мая 2019 г.) / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева, под. ред. А. И. Данилина - Самара : ООО «АРТЕЛЬ», 2019. – С. 138-140. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-5-903-943-11-1 | - |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Issledovanie-formirovaniya-kataliticheskoi-maski-vo-vneelektrodnoi-plazme-s-pomoshu-razrabotannogo-programmnogo-obespecheniya-77419 | - |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | ООО "АРТЕЛЬ" | ru |
dc.subject | Плазма | ru |
dc.subject | Каталитическая маска | ru |
dc.subject | Моделирование | ru |
dc.title | Исследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспечения | ru |
dc.type | Thesis | ru |
dc.textpart | область полупроводника; – построение концентрационных профилей атомов полупроводника и «вакансий» в расплаве в логарифмическом масштабе; – расчёт времени облучения структуры металл-полупроводник для достижения заданных глубины легирования и концентрации атомов полупроводника в слое расплава; – визуализация концентрационных профилей в цвете; – формирование базы данных материалов, образующих структуру «металл-полупроводник», с возможностью ввода, сохранения, удаления, редактирования... | - |
dc.classindex.udc | 537.5; | - |
dc.classindex.udc | 537.525.99 | - |
dc.classindex.udc | 519.688 | - |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
138-140.pdf | Исследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспечения | 213.11 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.