Отрывок: На поверхности пленок отсутствуют грубые дефекты, а края элемента имеют четкий контур (рисунок 2). Поверхностные дефекты определялись методом растровой электронной микроскопии с помощью РЭМ «Quanta 200». Рисунок 1 – График распределения толщин пленок Cr и Сu в месте контакта ...
Название : Исследование параметров тонкопленочных резистивных элементов
Авторы/Редакторы : Воеводина П. А.
Советкина М. А.
Дата публикации : 2024
Библиографическое описание : Воеводина, П. А. Исследование параметров тонкопленочных резистивных элементов / П. А. Воеводина, М. А. Советкина // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. (г.Самара, 23-26 апр. 2024 г.) / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т) ; под ред. В. А. Зеленского. - Самара : [Артель], 2024. - С. 283-285.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\554817
Ключевые слова: тонкопленочные резистивные элементы
тонкопленочные технологии
поверхностные дефекты
сравнительный анализ
растровая электронная микроскопия
интерферометры белого света
магнетронное распыление
контроль параметров
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-903943-20-3_2024-283-285.pdf464.15 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.