Отрывок: 4.2. Расчет концентрации основных носителей заряда Так как полученные ВФХ имеют квазилинейный вид, их можно продифференцировать по напряжению, что позволит получить выражение для расчета профиля концентрации основных носителей заряда (ОНЗ) [6]: (4) где S – площадь контакта. При этом толщина области объемного заряда w, соответствующая емкости при определенном напряжении опр...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кузнецов А. С. | ru |
dc.contributor.author | Соломникова А. В. | ru |
dc.contributor.author | Лукашкин В. А. | ru |
dc.contributor.author | Зубков В. И. | ru |
dc.coverage.spatial | адмиттансная спектроскопия | ru |
dc.coverage.spatial | вольт-амперные характеристики | ru |
dc.coverage.spatial | вольт-фарадные характеристики | ru |
dc.coverage.spatial | легирование бором | ru |
dc.coverage.spatial | многосекторные алмазные пластины | ru |
dc.coverage.spatial | метод высоких давлений | ru |
dc.coverage.spatial | моделирование | ru |
dc.coverage.spatial | монокристаллы алмаза | ru |
dc.coverage.spatial | экспериментальные исследования | ru |
dc.coverage.spatial | энергия активации | ru |
dc.coverage.spatial | температурные спектры проводимости | ru |
dc.creator | Кузнецов А. С., Соломникова А. В., Лукашкин В. А., Зубков В. И. | ru |
dc.date.accessioned | 2020-08-10 15:28:26 | - |
dc.date.available | 2020-08-10 15:28:26 | - |
dc.date.issued | 2020 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\441759 | ru |
dc.identifier.citation | Расчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмитта / А. С. Кузнецов, А. В. Соломникова, В. А. Лукашкин, В. И. Зубков // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - 2020. - Т. 1. - С. 644-650 | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Raschet-i-modelirovanie-elektrofizicheskih-parametrov-almaznyh-plastin-legirovannyh-borom-sopostavlenie-eksperimentalnyh-dannyh-spektroskopii-admitta-85213 | - |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.ispartof | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек | ru |
dc.source | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника | ru |
dc.title | Расчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмитта | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 650 | ru |
dc.citation.spage | 644 | ru |
dc.citation.volume | 1 | ru |
dc.textpart | 4.2. Расчет концентрации основных носителей заряда Так как полученные ВФХ имеют квазилинейный вид, их можно продифференцировать по напряжению, что позволит получить выражение для расчета профиля концентрации основных носителей заряда (ОНЗ) [6]: (4) где S – площадь контакта. При этом толщина области объемного заряда w, соответствующая емкости при определенном напряжении опр... | - |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
ИТНТ-2020_том 1-644-650.pdf | 770.01 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.