Отрывок: В области кремния вследствие сдвига исходного распределения на отрезок d2 - d1 - распределение имеет вид N 2 (x) = Q d i ^ ARp 2 exp ( x + (d2 - d1 ) - R p2 ) 2 2 ( A R p 2 ) 2 Q ^ M p 2 exp xr t \ ARp212d1 + (d1- Rp1 ) A^R- p1 p 2 2 , x > d1 (18) Погрешность аппроксимации распределения во втором слое составляет величину R 2 - R 1p2 p1 ARp2 AR П = p1R (19) p2 —00 —00 16 Если имплантируется структура с кремниевой подложкой противоположного типа проводимости по отношени...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Макаров И. А. | ru |
dc.contributor.author | Козлова И. Н. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки России | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | ионная имплантация | ru |
dc.coverage.spatial | ионно-имплантированные примеси | ru |
dc.coverage.spatial | метод подбора доз | ru |
dc.coverage.spatial | метод Монте-Карло | ru |
dc.coverage.spatial | многослойные структуры | ru |
dc.coverage.spatial | легирование | ru |
dc.creator | Макаров И. А. | ru |
dc.date.issued | 2020 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20210218154403 | ru |
dc.identifier.citation | Макаров, И. А. Моделирование профилей распределения ионно-имплантированных примесей в многослойных структурах : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / И. А. Макаров ; рук. работы И. Н. Козлова ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак-т электроники и приборостроен. - Самара, 2020. - on-line | ru |
dc.description.abstract | В настоящей работе проводится изучение некоторых методов ионной имплантации примесей в многослойные структуры. Дается обзор принципов технологии имплантации ионов в структуру твердого тела, приводятсянекоторые популярные методы расчета распределения концентрации примеси. В работе также демонстрируются расчеты распределения концентрации имплантированных ионов бора в двух- и трехслойную структуру на основе кремния, полученные по методу Монте-Карло и методуподбора доз. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 0,0 Мб) | ru |
dc.title | Моделирование профилей распределения ионно-имплантированных примесей в многослойных структурах | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 67.09.05 | ru |
dc.subject.udc | 620.22 | ru |
dc.textpart | В области кремния вследствие сдвига исходного распределения на отрезок d2 - d1 - распределение имеет вид N 2 (x) = Q d i ^ ARp 2 exp ( x + (d2 - d1 ) - R p2 ) 2 2 ( A R p 2 ) 2 Q ^ M p 2 exp xr t \ ARp212d1 + (d1- Rp1 ) A^R- p1 p 2 2 , x > d1 (18) Погрешность аппроксимации распределения во втором слое составляет величину R 2 - R 1p2 p1 ARp2 AR П = p1R (19) p2 —00 —00 16 Если имплантируется структура с кремниевой подложкой противоположного типа проводимости по отношени... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Макаров_Илья_Андреевич_Моделирование_профилей_распределения_ионно.pdf | 393.72 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.