Отрывок: В результате встречно направленные темновые токи уравновешивают друг друга, и положение эквипотенциали (точка, в которой потенциалы верхней и нижней шины равны между собой) находится в центре Мультискана. 24 При воздействии светового сигнала генерируемый фототок за счет заряда суммарной емкости фотоприемника изменяет потенци...
Название : | Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si |
Авторы/Редакторы : | Медведев С. М. Чепурнов В. И. Министерство образования и науки Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) Естественнонаучный институт |
Дата публикации : | 2018 |
Библиографическое описание : | Медведев, С. М. Полупроводниковый позиционно-чувствительный датчик на основе гетероструктуры SiC/Si : вып. квалификац. работа по направлению "Физика" (уровень бакалавриата) / Медведев Семен Михайлович ; рук. работы Чепурнов Виктор Иванович ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т естественнонауч., Фак-т физ. - Самара, 2018. - on-line |
Аннотация : | Актуальность проекта –структура SiC/Si имеет большое количество структурных решений, которые можно использовать для изготовления широкого спектра приборов.Цель работы заключается в оценке функциональных возможностей полупроводниковой гетероструктуры для чувствительного элемента позиционно-чувствительного датчика и выборе структуры для позиционно-чувствительного датчика и исследование фотоэлектрических свойств.В данной работе были поставлены следующие задачи:- изучить возможные гетероструктуры для позиционно-чувствительного датчика;- провести исследования изготовления стенда для позиционно-чувствительного датчика;- определить результаты измерения и их обработку. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20190423111209 |
Ключевые слова: | гетероструктуры SiC/Si освещенность карбид кремния датчики интегрального типа датчики линейного перемещения позиционно-чувствительные датчики полупроводниковые позиционно-чувствительные датчики |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Медведев_Семён_Михайлович_ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ_ПОЗИЦИОННО_ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ_ДАТЧИК.pdf | 1.28 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.