Отрывок: № образца 1 2 3 4 5 Время поддержания температуры, ч 2 1 1,5 1 1 Метод очищения Ацетон и изопропило вый спирт Ацетон и изопропило вый спирт RCA и HF RCA и HF RCA и HF Толщина оксида, нм 220,13 94,53 183,24 73,25 61,44 17 Рисунок 7 - Образец 1, Ацетон/изопропиловый спирт, 220,13 нм Рисунок 8 - Образец 2, Ацетон/изопропиловый спирт, 94,53 нм 18 Рисунок 9 - Образец 3, RCA и hf, 183,24 нм Рисунок 10 - Образец 4, RCA и hf, 73,25 нм 19 Рисунок 11 - Образец 5,...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Положишников А. В. | ru |
dc.contributor.author | Павельев В. С. | ru |
dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | 2D материалы | ru |
dc.coverage.spatial | графены | ru |
dc.coverage.spatial | оксид кремния | ru |
dc.coverage.spatial | полевые транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | транзисторы | ru |
dc.creator | Положишников А. В. | ru |
dc.date.issued | 2021 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914140643 | ru |
dc.identifier.citation | Положишников, А. В. Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. В. Положишников ; рук. работы В. С. Павельев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информат. - Самара, 2021. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования являются полевые транзисторы на графене.Цель работы - разработка и исследование транзисторов на основе 2Dматериалов.Задачи работы:1. Анализ существующих концепций и методов изготовлениятранзисторов на основе 2D материалов;2. Исследование процесса оксидирования кремния;3. Разработка технологического процесса изготовления транзисторов наоснове графена;4. Исследование электрических характеристик транзисторов на основеграфена.Итог работы: проведён анализ существующих концепций и методовизготовления транзисторов на основе 2D графена, проведено исследованиепроцесса оксидирования кремния, разработана конструкция электродов с заднимзатвором, разработан тех. процесс изготовления транзисторов на основе графена,исследованы электрические характеристики транзисторов на основе графена. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 3,9 Мб) | ru |
dc.title | Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.59 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.3 | ru |
dc.textpart | № образца 1 2 3 4 5 Время поддержания температуры, ч 2 1 1,5 1 1 Метод очищения Ацетон и изопропило вый спирт Ацетон и изопропило вый спирт RCA и HF RCA и HF RCA и HF Толщина оксида, нм 220,13 94,53 183,24 73,25 61,44 17 Рисунок 7 - Образец 1, Ацетон/изопропиловый спирт, 220,13 нм Рисунок 8 - Образец 2, Ацетон/изопропиловый спирт, 94,53 нм 18 Рисунок 9 - Образец 3, RCA и hf, 183,24 нм Рисунок 10 - Образец 4, RCA и hf, 73,25 нм 19 Рисунок 11 - Образец 5,... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Положишников_Антон_Владимирович_Разработка_исследование_транзисторов.pdf | 3.94 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.