Отрывок: № образца 1 2 3 4 5 Время поддержания температуры, ч 2 1 1,5 1 1 Метод очищения Ацетон и изопропило вый спирт Ацетон и изопропило вый спирт RCA и HF RCA и HF RCA и HF Толщина оксида, нм 220,13 94,53 183,24 73,25 61,44 17 Рисунок 7 - Образец 1, Ацетон/изопропиловый спирт, 220,13 нм Рисунок 8 - Образец 2, Ацетон/изопропиловый спирт, 94,53 нм 18 Рисунок 9 - Образец 3, RCA и hf, 183,24 нм Рисунок 10 - Образец 4, RCA и hf, 73,25 нм 19 Рисунок 11 - Образец 5,...
Название : | Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов |
Авторы/Редакторы : | Положишников А. В. Павельев В. С. Шишкина Д. А. Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) Институт информатики математики и электроники |
Дата публикации : | 2021 |
Библиографическое описание : | Положишников, А. В. Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. В. Положишников ; рук. работы В. С. Павельев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информат. - Самара, 2021. - on-line |
Аннотация : | Объектом исследования являются полевые транзисторы на графене.Цель работы - разработка и исследование транзисторов на основе 2Dматериалов.Задачи работы:1. Анализ существующих концепций и методов изготовлениятранзисторов на основе 2D материалов;2. Исследование процесса оксидирования кремния;3. Разработка технологического процесса изготовления транзисторов наоснове графена;4. Исследование электрических характеристик транзисторов на основеграфена.Итог работы: проведён анализ существующих концепций и методовизготовления транзисторов на основе 2D графена, проведено исследованиепроцесса оксидирования кремния, разработана конструкция электродов с заднимзатвором, разработан тех. процесс изготовления транзисторов на основе графена,исследованы электрические характеристики транзисторов на основе графена. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914140643 |
Ключевые слова: | 2D материалы графены оксид кремния полевые транзисторы транзисторы |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Положишников_Антон_Владимирович_Разработка_исследование_транзисторов.pdf | 3.94 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.